Controllo automatico della temperatura e dell'umidità
La temperatura e l'umidità della camera bianca sono determinate principalmente in base ai requisiti del processo, ma a condizione che i requisiti del processo siano soddisfatti, è necessario prendere in considerazione il comfort umano.Con l'aumento dei requisiti di pulizia dell'aria, si tende a far sì che il processo abbia requisiti sempre più severi in termini di temperatura e umidità.
Poiché la precisione della lavorazione diventa sempre più precisa, i requisiti per l'intervallo di fluttuazione della temperatura diventano sempre più piccoli.Ad esempio, nel processo di esposizione litografia della produzione di circuiti integrati su larga scala, la differenza tra il coefficiente di dilatazione termica del vetro e del wafer di silicio come materiale del diaframma deve essere sempre più piccola.Un wafer di silicio con un diametro di 100μm causerà un'espansione lineare di 0,24μm quando la temperatura aumenta di 1 grado.Pertanto, deve avere una temperatura costante di ±0,1 gradi.Allo stesso tempo, il valore di umidità deve generalmente essere basso, perché dopo che una persona suda, il prodotto sarà inquinato, soprattutto per le officine di semiconduttori che hanno paura del sodio, questo tipo di officina pulita non dovrebbe superare i 25 gradi.
L’eccessiva umidità causa più problemi.Quando l'umidità relativa supera il 55%, si formerà della condensa sulla parete del tubo dell'acqua di raffreddamento.Se si verifica in un dispositivo o circuito di precisione, causerà vari incidenti.È facile arrugginire quando l'umidità relativa è del 50%.Inoltre, quando l'umidità è troppo elevata, la polvere sulla superficie del wafer di silicio verrà assorbita chimicamente dalle molecole d'acqua presenti nell'aria sulla superficie, il che è difficile da rimuovere.Maggiore è l'umidità relativa, più difficile è rimuovere l'adesione, ma quando l'umidità relativa è inferiore al 30%, le particelle vengono facilmente adsorbite sulla superficie a causa dell'azione della forza elettrostatica e di un gran numero di semiconduttori i dispositivi sono soggetti a guasti.L'intervallo di temperatura migliore per la produzione di wafer di silicio è 35~45%.
